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半自動(dòng)四探針觸屏測(cè)試儀晶圓、非晶硅/微晶硅和導(dǎo)電膜電阻率測(cè)量；選擇性發(fā)射極擴(kuò)散片；表面鈍化片；交叉指樣PN結(jié)擴(kuò)散片；新型電極設(shè)計(jì)，如電鍍銅電阻測(cè)量等；半導(dǎo)體材料分析，鐵電材料，納米材料，太陽(yáng)能電池，LCD，OLED，觸摸屏等.

半自動(dòng)觸屏四探針測(cè)試儀晶圓、非晶硅/微晶硅和導(dǎo)電膜電阻率測(cè)量；選擇性發(fā)射極擴(kuò)散片；表面鈍化片；交叉指樣PN結(jié)擴(kuò)散片；新型電極設(shè)計(jì)，如電鍍銅電阻測(cè)量等；半導(dǎo)體材料分析，鐵電材料，納米材料，太陽(yáng)能電池，LCD，OLED，觸摸屏等.

全自動(dòng)四探針電阻測(cè)試儀晶圓、非晶硅/微晶硅和導(dǎo)電膜電阻率測(cè)量；選擇性發(fā)射極擴(kuò)散片；表面鈍化片；交叉指樣PN結(jié)擴(kuò)散片；新型電極設(shè)計(jì)，如電鍍銅電阻測(cè)量等；半導(dǎo)體材料分析，鐵電材料，納米材料，太陽(yáng)能電池，LCD，OLED，觸摸屏等.

全自動(dòng)四探針電阻測(cè)量測(cè)試儀四點(diǎn)探針法，全自動(dòng)化運(yùn)行測(cè)量系統(tǒng)，PC軟件采集和數(shù)據(jù)處理；參照A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)方法測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率和方塊電阻；可設(shè)定探針壓力值、測(cè)試點(diǎn)數(shù)、多種測(cè)量模式選擇；真空環(huán)境，可顯示：方阻、電阻率、顯示2D,3D掃描/數(shù)值圖、溫濕度值、提供標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)電阻件.報(bào)表輸出數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析.

1000KG自動(dòng)極片平面探頭電阻測(cè)試儀采用平面探頭，對(duì)被測(cè)樣品施加的壓力來分析極片整體電阻，自動(dòng)加壓，壓力可設(shè)定；PC軟件界面操作，多種測(cè)量模式下實(shí)現(xiàn)壓強(qiáng)與電阻,電阻率，電導(dǎo)率關(guān)系圖譜；提供數(shù)據(jù)和報(bào)表生成管理.自動(dòng)實(shí)時(shí)樣品厚度數(shù)據(jù)及環(huán)境溫濕度采集.

500KG自動(dòng)極片平面探頭電阻測(cè)試儀采用平面探頭，對(duì)被測(cè)樣品施加的壓力來分析極片整體電阻，自動(dòng)加壓，壓力可設(shè)定；PC軟件界面操作，多種測(cè)量模式下實(shí)現(xiàn)壓強(qiáng)與電阻,電阻率，電導(dǎo)率關(guān)系圖譜；提供數(shù)據(jù)和報(bào)表生成管理.自動(dòng)實(shí)時(shí)樣品厚度數(shù)據(jù)及環(huán)境溫濕度采集.